Memoria RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19
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General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com
- Tecnología: DDR4
- Voltaje:
- 1.2 V
- 1,2 V
- Tipo: Memoria (RAM)
- Latencia: CL19
- Conexiones: DIMM
- Memoria RAM: 4 GB RAM
- Velocidad: 2666 MHz
- Tipo de Memoria: DDR4
- Compatible: PC/Server
- Capacidad: 4 GB
PNY Performance. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Latencia CAS: 19
- Memoria interna: 4 GB
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
- Tipo de memoria interna: DDR4
- Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
- Componente para: PC/servidor
- Latencia CAS: 19
- Canales de memoria: Single-channel
- Voltaje de memoria: 1.2 V
- Tipo de embalaje: Ampolla
General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
+33556354800
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com
